| 型号： | RJK2055DPA-00#J0 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Renesas Electronics America | 描述： | MOSFET N-CH 200V W-PAK |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 69 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | 8-WPAK |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | RJK2055DPA-00#J0-ND RJK2055DPA-00#J0TR |